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SWIR相机实现1µm精度的键合对准标记检测

随着半导体器件微缩化与封装复杂度提升，晶圆/芯片键合中的亚微米级对准愈发困难。传统光学检测难以识别埋入式对准标记及次表层缺陷，影响良率与性能。短波红外(SWIR)成像提供无损解决方案，可穿透硅等材料实现清晰成像，精准完成对准与缺陷检测。

在TSV、混合键合及CoWoS等技术推动下，晶圆与芯片的精密键合成关键需求。多层堆叠结构（如HBM）要求对准精度达1µm级——此尺度下的任何偏移都会导致互连失效、性能下降与良率损失。

在晶圆和芯片键合过程中，确保精确对准和缺陷检测会带来一些挑战，这些挑战会影响产量和设备性能。这些挑战包括：

SWIR短波红外成像实现无损对准与缺陷检测

SWIR（短波红外）成像技术能够穿透硅材料及其他材质，在不损伤晶圆的前提下清晰呈现隐藏的对准标记和芯片键合界面。但要将该技术集成至高精度半导体检测设备，需攻克多项技术难点：

Basler ace 2 X visSWIR系列相机填补了实验室级高性能制冷型短波红外（SWIR）相机与商用/公共安全领域低成本解决方案之间的技术空白。针对高端工业应用场景，该相机设计需实现三大核心平衡：在控制总体成本的同时确保所需检测精度，并实现与终端自动光学检测（AOI）设备的高度适配集成。

Basler ace 2 X visSWIR系列相机搭载索尼SenSWIR传感器，具备三大技术优势：

发送您的样品，我们的团队将评估最适合您应用的 SWIR 元件，确保性能、成本和集成效率的理想平衡。

在晶圆键合与芯片对准之外，SWIR成像正深度赋能半导体检测全流程。其深层材料穿透能力与高对比度缺陷检测特性，可广泛应用于晶锭检测、缺陷分析、引线键合分析及良率提升等环节。SWIR相机通过穿透硅基材料实现多维度质量管控，贯穿半导体制造全周期。

凭借硅基材料穿透特性，SWIR成像技术正重塑半导体检测领域。从精密封装对准到缺陷识别与良率优化，其技术价值已得到充分验证。针对新一代2.5D与3D封装需求，SWIR成像已成为半导体设备商的实用视觉方案，可实现微米级对准精度与亚表面缺陷检测。

Basler不仅提供SWIR相机，更深度理解半导体检测痛点——以工程化思维打造检测系统，在确保纳米级精度的同时，避免过度设计，为高阶封装提供可靠保障。

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